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会员年限：13年
朱先生 
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| 类别 |
分立半导体产品 |
|---|---|
| 家庭 |
FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 剪切带（CT） |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 200mA（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） | 3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 值 | 400mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体 |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
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